華僑網 科技 事關芯片!中國成功開發這一新技術
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事關芯片!中國成功開發這一新技術

據微信公眾號“西湖儀器”消息,近日,由西湖大學孵化的西湖儀器(杭州)技術有限公司成功開發出12英寸碳化矽襯底自動化激光剝離技術,解決了12英寸及以上超大尺寸碳化矽襯底切片難題。

與傳統的矽材料相比,碳化矽具有更寬的禁帶能隙、更高的熔點、更高的電子遷移率以及更高的熱導率,能夠在高溫、高電壓條件下穩定工作,已成為新能源和半導體產業升級的關鍵材料,推動電動汽車、光伏發電、智能電網、無線通信等領域的技術革命。

但襯底材料成本占據整體成本的比例依然居高不下,嚴重阻礙了碳化矽器件大規模的產業化推廣。降本增效的重要途徑之一是制造更大尺寸的碳化矽襯底材料。與6英寸和8英寸襯底相比,12英寸襯底材料能夠進一步擴大單片晶圓上可用於芯片制造的面積,在同等生產條件下,顯著提升產量,降低單位成本。

2024年12月,國內碳化矽頭部企業已披露了最新一代12英寸碳化矽襯底,在引領國際發展趨勢的同時,也提出了12英寸以上的超大尺寸碳化矽襯底切片需求。與之相應,西湖儀器以最快速度推出了“超大尺寸碳化矽襯底激光剝離技術”,率先解決了12英寸及更大尺寸的碳化矽襯底“切片”難題。

“該技術實現了碳化矽晶錠減薄、激光加工、襯底剝離等過程的自動化。”西湖大學工學院講席教授仇旻介紹,與傳統切割技術相比,激光剝離過程無材料損耗,原料損耗大幅下降。新技術可大幅縮短襯底出片時間,適用於未來超大尺寸碳化矽襯底的規模化量產,進一步促進行業降本增效。

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